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电子元器件详细资料 » IC[27646] » SI6562DQ-T1-E3
型号:SI6562DQ-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.5A,3.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222600mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs25nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装8-TSSOP
包装Digi-Reel®

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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SI6562DQ-T1-E3相关型号

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